1. 國際上表示吸附力的方法
1 Active Area 主動區（工作區） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被製造的區域即所謂的主動區（ACTIVE AREA）。在標准之MOS製造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之後的局部場區氧化所形成的，而由於利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD』S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區域來的小，以長0.6UM之場區氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD』S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定義的區域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內之用途，主要在於黃光室內正光阻之清洗、擦拭。4. 對神經中樞具中度麻醉性，對皮膚黏膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會刺激鼻、眼結膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明等。5. 允許濃度1000PPM。
3 ADI 顯影後檢查 1.定義：After Developing Inspection 之縮寫2.目的：檢查黃光室製程；光阻覆蓋→對准→曝光→顯影。發現缺點後，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護產品良率、品質。3.方法：利用目檢、顯微鏡為之。
4 AEI 蝕刻後檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻製程光阻去除前及光阻去除後，分別對產品實施全檢或抽樣檢查。2.目的：2-1提高產品良率，避免不良品外流。2-2達到品質的一致性和製程之重復性。2-3顯示製程能力之指針2-4阻止異常擴大，節省成本3.通常AEI檢查出來之不良品，非必要時很少作修改，因為重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加，生產成本增高，以及良率降低之缺點。
5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 進入潔凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故，無塵衣上沾著塵埃，故進潔凈室之前，需經空氣噴洗機將塵埃吹掉。
6 ALIGNMENT 對准 1. 定義：利用晶元上的對准鍵，一般用十字鍵和光罩上的對准鍵合對為之。2. 目的：在IC的製造過程中，必須經過6~10次左右的對准、曝光來定義電路圖案，對准就是要將層層圖案精確地定義顯像在晶元上面。3. 方法：A.人眼對准B.用光、電組合代替人眼，即機械式對准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關系。Alloy也可降低接觸的阻值。
8 AL/SI 鋁/硅 靶 此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來，而鍍在晶元表面上，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當作組件與外界導線連接。
9 AL/SI/CU 鋁/硅 /銅 金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，其成分為0.5％銅，1％硅及98.5％鋁，一般製程通常是使用99％鋁1％硅，後來為了金屬電荷遷移現象（ELEC TROMIGRATION）故滲加0.5％銅，以降低金屬電荷遷移。
10 ALUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來，而鍍在晶元表面上，將此當作組件與外界導線之連接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測量Junction的深度，所作的晶元前處理，這種採用光線干涉測量的方法就稱之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等於入射光波長的一半與干涉條紋數之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，准確度及精密度都無法因應。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應用Angle Lapping的方法作前處理，採用的方法是以表面植入濃度與阻值的對應關系求出Junction的深度，精確度遠超過入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一個長度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發寬度之五十萬分之一。此單位常用於IC製程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時用。
13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學)，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫，也就是說，反應氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學反應而生成一層固態的生成物（如BPSG）於晶元上。
14 AS75 砷 自然界元素之一；由33個質子，42個中子即75個電子所組成。半導體工業用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-場區、空乏區及S/D植入。
15 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預處理，系利用電漿方式（Plasma），將晶元表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機物）發生作用，產生揮發性的氣體，再由幫浦抽走，達到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產品經過離子植入或電漿蝕刻後，表面之光阻或發生碳化或石墨化等化學作用，整個表面之光阻均已變質，若以硫酸吃光阻，無法將表面已變質之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。
16 ASSEMBLY 晶粒封裝 以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達到保護晶粒，隔絕環境污染的目的，而此一連串的加工過程，即稱為晶粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，製程包括：晶元切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導線架，即Lead frame）→焊線→模壓封裝→穩定烘烤（使樹酯物性穩定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹酯為材料之IC，通常用於消費性產品，如計算機、計算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬於高性賴度之組件，通常用於飛彈、火箭等較精密的產品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨機將晶元背面磨薄以便測試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋晶元之厚度約20mil～30 mil左右，為了便於晶粒封裝打線，故需將晶元厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預烤 烘烤（Bake）：在集成電路晶元上的製造過程中，將晶元至於稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區分微軟烤（Soft bake）與預烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時機是在上完光阻後，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發去除，並且可增加光阻與晶元之附著力。預烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預烤不全長會造成過蝕刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一種供做離子植入用之離子。·BF2 ＋是由BF3 ＋氣體晶燈絲加熱分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。經Extract拉出及質譜磁場分析後而得到。·是一種P-type 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟，在半導體IC製造過程中，常需要用一種工具作晶元傳送、清洗及加工，這種承載晶元的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質，一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大於300℃）的場合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場合。
21 B.O.E 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會浸蝕玻璃及任何含硅石的物質，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應用大量水沖洗。
22 BONDING PAD 焊墊 焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的製程中，有一個步驟是作「焊線」，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地應用。由於晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產品約是微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由於受到材料的延展性即對金屬接線強度要求的限制，只能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設計成一個約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個外圍上（以粒封裝時的焊線作業），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點作成圓形，以資辨識。焊墊因為要作接線，其上得護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到「開窗線」。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位於晶粒內部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。
23 BORON 硼 自然元素之一。由五個質子及六個中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五個質子及五個中子所組成原子量是10（B10）。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場質譜分析中看出，是一種P-type的離子（B 11＋），用來作場區、井區、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介於Poly之上、Metal之下，可做為上下兩層絕緣之用，加硼、磷主要目的在使迴流後的Step較平緩，以防止Metal line濺鍍上去後，造成斷線。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓 反向P-N接面組件所加之電壓為P接負而N接正，如為此種接法則當所加電壓通在某個特定值以下時反向電流很小，而當所加電壓值大於此特定值後，反向電流會急遽增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定義反向P＋ - N接面之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓，在P＋ - N或 N＋-P之接回組件中崩潰電壓，隨著N（或者P）之濃度之增加而減小。
26 BURN IN 預燒試驗 「預燒」（Burn in）為可靠性測試的一種，旨在檢驗出哪些在使用初期即損壞的產品，而在出貨前予以剔除。預燒試驗的作法，乃是將組件（產品）至於高溫的環境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式（Failure Mode）提早顯現出來，達到篩選、剔除「早期夭折」產品之目的。預燒試驗分為「靜態預燒」（Static Burn in）與「動態預燒」（Dynamic Burn in）兩種，前者在試驗時，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而後者除此外並有模擬實際工作情況的訊號輸入，故較接近實際狀況，也較嚴格。基本上，每一批產品在出貨前，皆須作百分之百的預燒試驗，馾由於成本及交貨其等因素，有些產品舊只作抽樣（部分）的預燒試驗，通過後才出貨。另外對於一些我們認為它品質夠穩定且夠水準的產品，亦可以抽樣的方式進行，當然，具有高信賴度的產品，皆須通過百分之百的預燒試驗。
27 CAD 計算機輔助設計 CAD：Computer Aided Design計算機輔助設計，此名詞所包含的范圍很廣，可泛稱一切計算機為工具，所進行之設計；因此不僅在IC設計上用得到，建築上之設計，飛機、船體之設計，都可能用到。在以往計算機尚未廣泛應用時，設計者必須以有限之記憶、經驗來進行設計，可是有了所謂CAD後，我們把一些常用之規則、經驗存入計算機後，後面的設計者，變可節省不少從頭摸索的工作，如此不僅大幅地提高了設計的准確度，使設計的領域進入另一新天地。
28 CD MEASUREMENT 微距測試 CD: Critical Dimension之簡稱。通常於某一個層次中，為了控制其最小線距，我們會製作一些代表性之量測圖形於晶方中，通常置於晶方之邊緣。簡言之，微距測量長當作一個重要之製程指針，可代表黃光製程之控制好壞。量測CD之層次通常是對線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前較常用於測量之圖形有品字型，L-BAR等。
2. SMT 錫膏的推力是多少
SMT錫膏迴流工藝沒有推力測試要求，只進行焊點外觀檢查潤濕性，只紅膠固化工藝才有推力要求以保證過波峰焊時不掉件。
3. 體積為一立方米的容器，將裡面的空氣吸出變成真空，那麼該容器的吸附力為多少公斤
∵1帕斯卡=1N/S^2
G=M*g=9.81M
1標准大氣壓=1.01*10^5帕斯卡=1.01*10^5N/S^2
∴G=1.01*10^5(N)/9.81(N/kg)≈10295.6kg
即，約為每平方米10295.6千克重量所產生的壓力